Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Номер продукта: G3R30MT12K
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-05-02 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Полезная информация
Спецификации
Артикул
U-2246889
NomNr
G3R30MT12K
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
G3R30MT12K
Case
TO247-4
Drain current
63A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
155nC
Gate-source voltage
-5...15V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
30mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
400W
Pulsed drain current
200A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Supplier's product code
G3R30MT12K
Product ID
U-2246889
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
