Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO268 IXYS
Produkta nr.: IXBT42N170A
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO268 IXYS
Produkta nr.: IXBT42N170A
| Zīmols | IXYS |
| Vairāk līdzīgu produktu | Meklē "Transistor IGBT BiMOSFET" |
Piegādes termiņi
2024-04-23 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Saņemšana Lemona veikalā
Saņemšana Lemona veikalā Bez maksas
Pasūtījumi tiek apstrādāti un atlasīti darba dienās no pulksten 8:00 līdz 17:00. Kad pasūtījums būs gatavs saņemšanai, Jūs par to tiksiet informēti īsziņā.
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO268
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
| NomNr | IXBT42N170A |
| Brand | IXYS |
| Supplier's product code | IXBT42N170A |
| Product ID | U-220347 |
| Case | TO268 |
| Collector current | 21A |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Features of semiconductor devices | high voltage |
| Gate charge | 188nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| Power dissipation | 357W |
| Pulsed collector current | 265A |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Type of transistor | IGBT |
| Turn-off time | 308ns |
| Turn-on time | 33ns |
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
