Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 65A; 1.04kW; PLUS247™ IXYS
Produkta nr.: IXBX75N170A
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-02 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 8 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 65A; 1.04kW; PLUS247™
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr
IXBX75N170A
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXBX75N170A
Product ID
U-220353
Case
PLUS247™
Collector current
65A
Collector-emitter voltage
1.7kV
Features of semiconductor devices
high voltage
Gate charge
358nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
THT
Power dissipation
1.04kW
Pulsed collector current
300A
Technology
BiMOSFET™
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
595ns
Turn-on time
65ns
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
