Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Produkta nr.: G3R30MT12K
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-04-29 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Noderīga informācija
Specifikācijas
Artikuls
U-2246889
NomNr
G3R30MT12K
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
G3R30MT12K
Brand
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
G3R30MT12K
Product ID
U-2246889
Case
TO247-4
Drain current
63A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
155nC
Gate-source voltage
-5...15V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
30mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
400W
Pulsed drain current
200A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
