Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.3A; Idm: 7A; 13W VISHAY
Produkta nr.: SIB456DK-T1-GE3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50
Preces apraksts
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.3A; Idm: 7A; 13W VISHAY
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.3A; Idm: 7A; 13W
Piegādātāja preces parametri
Supplier's product code
SIB456DK-T1-GE3
Product ID
U-3116340
Case
PowerPAK® SC75
Drain current
6.3A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
5nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.31Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
13W
Pulsed drain current
7A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
SIB456DK-T1-GE3
Brand
VISHAY
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].