Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W ONSEMI
Produkta nr.: FDG6301N
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W ONSEMI
Produkta nr.: FDG6301N
Zīmols | ON SEMICONDUCTOR |
Vairāk līdzīgu produktu | Meklē "Transistor N MOSFET" |
Piegādes termiņi
2024-04-25 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
155 gab. | Piegādātāju noliktava |
Saņemšana Lemona veikalā Bez maksas
Pasūtījumi tiek apstrādāti un atlasīti darba dienās no pulksten 8:00 līdz 17:00. Kad pasūtījums būs gatavs saņemšanai, Jūs par to tiksiet informēti īsziņā.
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols | ON SEMICONDUCTOR |
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W ONSEMI
Noderīga informācija
Specifikācijas
Artikuls | U-186937 |
Zīmols | ON SEMICONDUCTOR |
NomNr | FDG6301N |
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr | FDG6301N |
Brand | ON SEMICONDUCTOR |
Case | SC70-6 |
Drain current | 0.22A |
Drain-source voltage | 25V |
Gate charge | 0.4nC |
Gate-source voltage | ±8V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tape |
Manufacturer | ONSEMI |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 7Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 0.3W |
Technology | PowerTrench® |
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Supplier's product code | FDG6301N |
Product ID | U-186937 |
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].