LEMONA

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89 ONSEMI

Produkta nr.: NTE4151PT1G
Preces attēliem ir ilustratīva nozīme. Precīzas preces specifikācijas, lūdzam, skatīt aprakstā.
Vairāk līdzīgu produktu

Atvainojamies, bet šīs preces vairs nav.

Mēs iesakām izvēlēties:

Citas preces šajā kategorijā

Piegādes termiņi

home delivery

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

Vairāk par 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

2,50

Preces apraksts

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89 ONSEMI

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-275929
NomNr
NTE4151PT1G

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
NTE4151PT1G
Supplier's product code
NTE4151PT1G
Product ID
U-275929
Case
SC89
Drain current
-0.76A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
2.1nC
Gate-source voltage
±6V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
Polarisation
unipolar
Power dissipation
313mW
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].