Piegādes termiņi
2025-12-08 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
Vairāk par 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 50,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.
2,50
Preces apraksts
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8 VISHAY
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
SI4425DDY-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI4425DDY-T1-GE3
Product ID
U-323703
Case
SO8
Drain current
-15.7A
Drain-source voltage
-30V
Gate charge
27nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
9.8mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3.6W
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].