LEMONA

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A VISHAY

Produkta nr.: SI9407BDY-T1-E3
Preces attēliem ir ilustratīva nozīme. Precīzas preces specifikācijas, lūdzam, skatīt aprakstā.
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Atvainojamies, bet šīs preces vairs nav.

Mēs iesakām izvēlēties:

Citas preces šajā kategorijā

Piegādes termiņi

home delivery

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto adresi ar kurjeru

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

Vairāk par 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 50,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 50 EUR.

2,50

Preces apraksts

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A VISHAY

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-3807690
Zīmols
NomNr
SI9407BDY-T1-E3

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
SI9407BDY-T1-E3
Supplier's product code
SI9407BDY-T1-E3
Product ID
U-3807690
Case
SO8
Drain current
-2.6A
Drain-source voltage
-60V
Gate charge
22nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.12Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3.2W
Pulsed drain current
-20A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].