Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; P3 YANGJIE TECHNOLOGY
Produkta nr.: MG25P12P3-YAN
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-06-05 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; P3 YANGJIE TECHNOLOGY
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; P3
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr
MG25P12P3-YAN
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
MG25P12P3-YAN
Product ID
U-2731860
Application
motors
Case
P3
Collector current
25A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
50A
Semiconductor structure
diode/transistor
Type of module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
