Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Produkta nr.: GD15PJY120F4S
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Specifikācijas
Artikuls
U-2964921
NomNr
GD15PJY120F4S
Piegādātāja prece apraksts
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Piegādātāja preces parametri
Product code
GD15PJY120F4S
Case
F4.1
Collector current
15A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
30A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Advanced Trench FS IGBT
Type of module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Supplier's product code
GD15PJY120F4S
Product ID
U-2964921
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
