Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B IXYS
Номер продукта: IXDN75N120
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара от поставщика
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B
Полезная информация
Параметры товара поставщика
NomNr
IXDN75N120
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXDN75N120
Product ID
U-220427
Case
SOT227B
Collector current
150A
Electrical mounting
screw
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
IXYS
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
660W
Pulsed collector current
190A
Semiconductor structure
single transistor
Technology
NPT
Type of module
IGBT
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
