Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263 IXYS
Номер продукта: IXBA16N170AHV
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-05-22 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 8 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263
Полезная информация
Параметры товара поставщика
NomNr
IXBA16N170AHV
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXBA16N170AHV
Product ID
U-220250
Case
TO263
Collector current
10A
Collector-emitter voltage
1.7kV
Features of semiconductor devices
high voltage
Gate charge
65nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
Power dissipation
150W
Pulsed collector current
40A
Technology
BiMOSFET™
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
370ns
Turn-on time
43ns
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
