📦 Uzmanību! Iespējama pasūtījumu kavēšanās. Vairāk informācijas
📦 Uzmanību! Iespējama pasūtījumu kavēšanās. Vairāk informācijas
Russian

Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 521W; TO247-3 MICROCHIP (MICROSEMI)

Номер продукта: APT25GR120BD15
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-2
15.37
3-9
13.84
10+
12.23
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

15.37
2024-05-09 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-09 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 521W; TO247-3 MICROCHIP (MICROSEMI)

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-1869278
Марка
NomNr
APT25GR120BD15

Описание товара от поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 521W; TO247-3

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
APT25GR120BD15
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT25GR120BD15
Product ID
U-1869278
Case
TO247-3
Collector current
25A
Collector-emitter voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
154nC
Gate-emitter voltage
±30V
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
Part status
Not recommended for new designs
Power dissipation
521W
Pulsed collector current
100A
Technology
POWER MOS 8®
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
164ns
Turn-on time
26ns
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].