Russian

Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264 IXYS

Номер продукта: IXGK100N170
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-2
89.98
3-9
80.96
10-24
71.57
25+
64.25
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

89.98
2024-05-29 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-29 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно9 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264 IXYS

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-221103
Марка
NomNr
IXGK100N170

Описание товара от поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264

Полезная информация

Параметры товара поставщика

NomNr
IXGK100N170
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXGK100N170
Product ID
U-221103
Case
TO264
Collector current
100A
Collector-emitter voltage
1.7kV
Features of semiconductor devices
high voltage
Gate charge
425nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
THT
Power dissipation
830W
Pulsed collector current
600A
Technology
NPT
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
720ns
Turn-on time
285ns
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].