Russian

Transistor: IGBT; PT; 600V; 62A; 543W; T-Max MICROCHIP (MICROSEMI)

Номер продукта: APT40GP60B2DQ2G
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-2
28.57
3-9
25.71
10+
22.74
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

28.57
2024-05-24 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-24 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: IGBT; PT; 600V; 62A; 543W; T-Max MICROCHIP (MICROSEMI)

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-1869383
Марка
NomNr
APT40GP60B2DQ2G

Описание товара от поставщика

Transistor: IGBT; PT; 600V; 62A; 543W; T-Max

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
APT40GP60B2DQ2G
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT40GP60B2DQ2G
Product ID
U-1869383
Case
T-Max
Collector current
62A
Collector-emitter voltage
600V
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
135nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
Power dissipation
543W
Pulsed collector current
160A
Technology
POWER MOS 7®
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
160ns
Turn-on time
49ns
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].