Russian

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 80A; 1W; SO8 DIODES INCORPORATED

Номер продукта: DMN3015LSD-13
no gallery
no gallery
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-4
1.18
5-24
0.49
25-99
0.45
100-499
0.39
500+
0.35
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

1.18
2024-05-23 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-23 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 80A; 1W; SO8 DIODES INCORPORATED

Спецификации

Артикул
U-2876136
NomNr
DMN3015LSD-13

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 80A; 1W; SO8

Параметры товара поставщика

NomNr
DMN3015LSD-13
Product ID
U-2876136
Case
SO8
Drain current
9A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
25.1nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
18mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1W
Pulsed drain current
80A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN3015LSD-13
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].