Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A SHINDENGEN
Номер продукта: P30W60HP2V-5100
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-06-21 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 34 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A SHINDENGEN
Полезная информация
Спецификации
Артикул
U-1937094
NomNr
P30W60HP2V-5100
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
P30W60HP2V-5100
Case
MTO3PV (TO247AD)
Drain current
30A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
70nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
SHINDENGEN
Mounting
THT
On-state resistance
0.23Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
310W
Pulsed drain current
120A
Technology
Hi-PotMOS2
Type of transistor
N-MOSFET
Supplier's product code
P30W60HP2V-5100
Product ID
U-1937094
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
