Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W IXYS
Номер продукта: IXFY4N60P3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-05-03 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
NomNr
IXFY4N60P3
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXFY4N60P3
Product ID
U-220626
Case
TO252
Drain current
4A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
6.9nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
On-state resistance
2.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
114W
Pulsed drain current
8A
Reverse recovery time
250ns
Technology
HiPerFET™
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
