Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 21A; Idm: 52A; 103W; TO247 ROHM SEMICONDUCTOR
Номер продукта: SCT3120ALGC11
Сроки доставки
2024-05-16 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 21A; Idm: 52A; 103W; TO247
Параметры товара поставщика
Product code
SCT3120ALGC11
Product ID
U-2966387
Case
TO247
Drain current
21A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
38nC
Gate-source voltage
-4...22V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
156mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
103W
Pulsed drain current
52A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
SCT3120ALGC11
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
