Russian

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W MICROCHIP (MICROSEMI)

Номер продукта: MSC040SMA120B
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-2
48.97
3-9
44.07
10+
38.94
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

48.97
2024-05-22 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-22 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W MICROCHIP (MICROSEMI)

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-1906002
Марка
NomNr
MSC040SMA120B

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
MSC040SMA120B
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
MSC040SMA120B
Product ID
U-1906002
Case
TO247-3
Drain current
46A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
137nC
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
On-state resistance
50mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
323W
Pulsed drain current
105A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].