Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W INFINEON TECHNOLOGIES
Номер продукта: IMZA65R027M1HXKSA1
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product ID
U-1876359
Case
TO247-4
Drain current
41A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate-source voltage
-5...23V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
35mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
189W
Pulsed drain current
184A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
IMZA65R027M1HXKSA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IMZA65R027M1HXKSA1
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
