Russian

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.3W; DIP4 VISHAY

Номер продукта: IRFD014PBF
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-4
1.16
5-24
0.71
25-99
0.63
100-499
0.57
500+
0.53
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

1.16
2024-05-24 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-24 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно1521 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.3W; DIP4 VISHAY

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-218138
Марка
NomNr
IRFD014PBF

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.3W; DIP4

Полезная информация

Параметры товара поставщика

NomNr
IRFD014PBF
Brand
VISHAY
Supplier's product code
IRFD014PBF
Product ID
U-218138
Case
DIP4
Drain current
1.2A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
11nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
0.2Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.3W
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].