Russian

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 9V; 330mA; Idm: 0.6A; 0.36W; SOT23-5 MICROCHIP TECHNOLOGY

Номер продукта: LND01K1-G
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-4
1.10
5-24
0.90
25-99
0.80
100-499
0.72
500+
0.67
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

1.10
2024-05-23 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-23 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 9V; 330mA; Idm: 0.6A; 0.36W; SOT23-5 MICROCHIP TECHNOLOGY

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-3080092
Марка
NomNr
LND01K1-G

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 9V; 330mA; Idm: 0.6A; 0.36W; SOT23-5

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
LND01K1-G
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
LND01K1-G
Product ID
U-3080092
Case
SOT23-5
Drain current
0.33A
Drain-source voltage
9V
Kind of channel
depleted
Kind of package
tape
Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
1.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.36W
Pulsed drain current
0.6A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].