Russian

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; Idm: 11A; 29W; TO220FP VISHAY

Номер продукта: SIHA690N60E-GE3
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-4
2.74
5-24
2.47
25-99
2.17
100-499
1.96
500+
1.83
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

2.74
2024-05-16 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-16 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; Idm: 11A; 29W; TO220FP VISHAY

Спецификации

Артикул
U-3045800
Марка
NomNr
SIHA690N60E-GE3

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.7A; Idm: 11A; 29W; TO220FP

Параметры товара поставщика

NomNr
SIHA690N60E-GE3
Case
TO220FP
Drain current
2.7A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
12nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
0.7Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
29W
Pulsed drain current
11A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHA690N60E-GE3
Product ID
U-3045800
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].