Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W VISHAY
Номер продукта: SIHB25N50E-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Параметры товара поставщика
Product code
SIHB25N50E-GE3
Case
D2PAK
Drain current
16A
Drain-source voltage
500V
Gate charge
86nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.145Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
250W
Pulsed drain current
50A
Type of transistor
N-MOSFET
Supplier's product code
SIHB25N50E-GE3
Product ID
U-3045828
Brand
VISHAY
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
