Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A; Idm: 300A VISHAY
Номер продукта: SIR580DP-T1-RE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-06-13 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A; Idm: 300A
Параметры товара поставщика
Product code
SIR580DP-T1-RE3
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
146A
Drain-source voltage
80V
Gate charge
76nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
3.2mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
104W
Pulsed drain current
300A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIR580DP-T1-RE3
Product ID
U-3116472
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
