Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 31.2A; Idm: 80A VISHAY
Номер продукта: SISS42LDN-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-05-09 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 31.2A; Idm: 80A
Параметры товара поставщика
NomNr
SISS42LDN-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SISS42LDN-T1-GE3
Product ID
U-3046230
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
31.2A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
48nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
18mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
36W
Pulsed drain current
80A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
