Russian

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A VISHAY

Номер продукта: SUM60061EL-GE3
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1+
6.65
B2B продажи

Мин. кол-во: 800

Кратность заказа: 800

Итого:

5,320.00
2024-05-24 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-24 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A VISHAY

Спецификации

Артикул
U-3116629
Марка
NomNr
SUM60061EL-GE3

Описание товара от поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A

Параметры товара поставщика

NomNr
SUM60061EL-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SUM60061EL-GE3
Product ID
U-3116629
Case
TO263
Drain current
-150A
Drain-source voltage
-80V
Gate charge
218nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
8.6mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
375W
Pulsed drain current
-250A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].