Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1.5W; TSMT8 ROHM SEMICONDUCTOR
Номер продукта: QS8J4TR
Сроки доставки
2024-05-09 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1.5W; TSMT8
Параметры товара поставщика
Product code
QS8J4TR
Case
TSMT8
Drain current
-4A
Drain-source voltage
-30V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
8.4nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
84mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.5W
Pulsed drain current
-16A
Type of transistor
P-MOSFET x2
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
QS8J4TR
Product ID
U-2966097
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
