LEMONA

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD IXYS

Produkta nr.: MMIX1G120N120A3V1
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
132.06
3-9
116.66
10-19
104.82
20+
97.87
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

132.06
2024-06-06 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-06-06 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD IXYS

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-261739
Zīmols
NomNr
MMIX1G120N120A3V1

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
MMIX1G120N120A3V1
Brand
IXYS
Supplier's product code
MMIX1G120N120A3V1
Product ID
U-261739
Case
SMPD
Collector current
105A
Collector-emitter voltage
1.2kV
Gate charge
420nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
Power dissipation
400W
Pulsed collector current
700A
Technology
BiMOSFET™
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
1365ns
Turn-on time
105ns
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].