Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A STMicroelectronics
Produkta nr.: STP26N60DM6
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A STMicroelectronics
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
STP26N60DM6
Brand
STMicroelectronics
Supplier's product code
STP26N60DM6
Product ID
U-1919588
Case
TO220-3
Drain current
11A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
24nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
0.195Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
130W
Pulsed drain current
60A
Technology
MDmesh™ DM6
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
