Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 49A; Idm: 196A MICROCHIP (MICROSEMI)
Produkta nr.: APT6011B2VRG
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 49A; Idm: 196A
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
APT6011B2VRG
Supplier's product code
APT6011B2VRG
Product ID
U-1905902
Case
TO247MAX
Drain current
49A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
450nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
On-state resistance
0.11Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
625W
Pulsed drain current
196A
Technology
POWER MOS 5®
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
MICROCHIP
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
