Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W LUGUANG ELECTRONIC
Produkta nr.: LGE3M30065Q
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-06-13 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W LUGUANG ELECTRONIC
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Product code
LGE3M30065Q
Case
TO247-4
Drain current
54A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate-source voltage
-5...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
LUGUANG ELECTRONIC
Mounting
THT
On-state resistance
45mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
300W
Pulsed drain current
170A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
LUGUANG ELECTRONIC
Supplier's product code
LGE3M30065Q
Product ID
U-3846313
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
