Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23 VISHAY
Produkta nr.: SI2308BDS-T1-E3
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-06-13 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 1861 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Piegādātāja preces parametri
Product code
SI2308BDS-T1-E3
Case
SOT23
Drain current
2.3A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
6.8nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
156mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.06W
Pulsed drain current
8A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2308BDS-T1-E3
Product ID
U-2941982
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
