Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363 PanJit Semiconductor
Produkta nr.: PJT7800-R1
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-06-20 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 5995 gab. | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363 PanJit Semiconductor
Specifikācijas
Artikuls
U-3139406
NomNr
PJT7800-R1
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Piegādātāja preces parametri
Product code
PJT7800-R1
Supplier's product code
PJT7800-R1
Product ID
U-3139406
Case
SOT363
Drain current
1A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
1.6nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Mounting
SMD
On-state resistance
0.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.35W
Pulsed drain current
4A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
