Jaudas MOSFET, N kanāls, 400 V, 9 A, 0,55 Ω, TO-220FP, caur caurumu
Produkta nr.: STP11NK40ZFP
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Svars
0.015 kg.
Zīmols
The STP11NK40ZFP is a SuperMESH™ N-channel Zener-protectedPower MOSFET obtained through an extreme optimization of ST's well establishedstrip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantlydown, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the mostdemanding applications.
· Extremely high dV/dt capability
· 100% Avalanche tested
· Gate charge minimized
· Very low intrinsic capacitances
· Very good manufacturing repeatability
· -55 to 150°C Operating junction temperaturerange
Noderīga informācija
Specifikācijas
Artikuls
105508
Svars
0.015 kg.
Jauda, W
30
Zīmols
Korpuss
TO220FP
Strāva, A
9
Pretestība, Ω
0.55
Darba frekvence, MHz
0
NomNr
STP11NK40ZFP
Jauda, W
30
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 30W; TO220FP
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
Case
TO220FP
Drain current
5.67A
Drain-source voltage
400V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
0.55Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
30W
Technology
SuperMesh™
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
