Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A STARPOWER SEMICONDUCTOR
Номер продукта: GD30PJX65F1S
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Новинка! Электронный почтовый ящик LEMONA: Krasta 105, Riga
Новинка! Электронный почтовый ящик LEMONA: Krasta 105, RigaБесплатно
Пожалуйста, заберите свою посылку, как только получите SMS.
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A STARPOWER SEMICONDUCTOR
Спецификации
Артикул
U-4889741
NomNr
GD30PJX65F1S
Описание товара от поставщика
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Параметры товара поставщика
Product code
GD30PJX65F1S
Case
F1.1
Collector current
30A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
650V
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
60A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Trench FS IGBT
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Supplier's product code
GD30PJX65F1S
Product ID
U-4889741
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].