Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD INFINEON TECHNOLOGIES
Номер продукта: IPD80R900P7
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Сроки доставки
Новинка! Электронный почтовый ящик LEMONA: Krasta 105, Riga
Новинка! Электронный почтовый ящик LEMONA: Krasta 105, RigaБесплатно
Пожалуйста, заберите свою посылку, как только получите SMS. В почтоматах LEMONA electronics посылки хранятся 5 дней.
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD INFINEON TECHNOLOGIES
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
IPD80R900P7
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IPD80R900P7
Product ID
U-216908
Case
PG-TO252-3
Drain current
3.9A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
15nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
0.9Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
45W
Technology
CoolMOS™ P7
Type of transistor
N-MOSFET
Version
ESD
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].