Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO268 IXYS
Номер продукта: IXBT42N170A
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-05-03 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO268
Полезная информация
Параметры товара поставщика
NomNr
IXBT42N170A
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXBT42N170A
Product ID
U-220347
Case
TO268
Collector current
21A
Collector-emitter voltage
1.7kV
Features of semiconductor devices
high voltage
Gate charge
188nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
Power dissipation
357W
Pulsed collector current
265A
Technology
BiMOSFET™
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
308ns
Turn-on time
33ns
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
