Russian

Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max MICROCHIP (MICROSEMI)

Номер продукта: APT80GP60B2G
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-2
50.41
3-9
45.36
10+
40.09
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

50.41
2024-05-24 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-24 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

Марка
Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max MICROCHIP (MICROSEMI)

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-1869455
Марка
NomNr
APT80GP60B2G

Описание товара от поставщика

Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
APT80GP60B2G
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT80GP60B2G
Product ID
U-1869455
Case
T-Max
Collector current
100A
Collector-emitter voltage
600V
Gate charge
280nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
Power dissipation
1041W
Pulsed collector current
330A
Technology
POWER MOS 7®
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
233ns
Turn-on time
69ns
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].