Latvia

Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max MICROCHIP (MICROSEMI)

Produkta nr.: APT80GP60B2G
no gallery
no gallery
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu

Cenu robežas

DaudzumsCena ar PVN (gab.)
1-2
50.43
3-9
45.38
10+
40.10
B2B

Min. daudzums: 1

Daudzkārtīgums: 1

Kopā:

50.43
2024-05-30 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Piegādes termiņi

2024-05-30 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad

Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..

NavNav

Piegādātāju noliktava

home delivery

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru

Vairāk par 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

Bez maksas

Līdz 35,00 €

(Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami)

3,99 €

Shipping parcel

Piegāde uz DPD Paku skapi

Piegāde uz DPD Paku skapi

Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.

2,50 €

Preces apraksts

Zīmols
Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max MICROCHIP (MICROSEMI)

Noderīga informācija


Specifikācijas

Artikuls
U-1869455
Zīmols
NomNr
APT80GP60B2G

Piegādātāja prece apraksts

Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max

Noderīga informācija

Piegādātāja preces parametri

Product code
APT80GP60B2G
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT80GP60B2G
Product ID
U-1869455
Case
T-Max
Collector current
100A
Collector-emitter voltage
600V
Gate charge
280nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
Power dissipation
1041W
Pulsed collector current
330A
Technology
POWER MOS 7®
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
233ns
Turn-on time
69ns
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].