Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252 DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMT10H015SK3-13
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-05-16 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 201 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252 DIODES INCORPORATED
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252
Полезная информация
Параметры товара поставщика
NomNr
DMT10H015SK3-13
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMT10H015SK3-13
Product ID
U-2467547
Case
TO252
Drain current
43A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
30.1nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
11.1mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.9W
Pulsed drain current
215A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
