Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252 DIODES INCORPORATED
Produkta nr.: DMT10H015SK3-13
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-09 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Piegāde uz DPD Paku skapi (1-4d.d., ja prece ir noliktavā)
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252 DIODES INCORPORATED
Noderīga informācija
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252
Noderīga informācija
Piegādātāja preces parametri
NomNr
DMT10H015SK3-13
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMT10H015SK3-13
Product ID
U-2467547
Case
TO252
Drain current
43A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
30.1nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
11.1mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.9W
Pulsed drain current
215A
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
