Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323 DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMN2310UWQ-7
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-05-27 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323 DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323
Параметры товара поставщика
NomNr
DMN2310UWQ-7
Product ID
U-2876114
Case
SOT323
Drain current
1.1A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
0.7nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
0.38Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.55W
Pulsed drain current
4.4A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN2310UWQ-7
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
