Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323 DIODES INCORPORATED
Produkta nr.: DMN2310UWQ-7
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323 DIODES INCORPORATED
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323
Piegādātāja preces parametri
NomNr
DMN2310UWQ-7
Product ID
U-2876114
Case
SOT323
Drain current
1.1A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
0.7nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
0.38Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.55W
Pulsed drain current
4.4A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN2310UWQ-7
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
