Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 80A; 2W; SO8 DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 80A; 2W; SO8
Параметры товара поставщика
Product code
DMN3016LSS-13
Supplier's product code
DMN3016LSS-13
Product ID
U-2876142
Case
SO8
Drain current
9.5A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
25.1nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
16mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
80A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
DIODES INCORPORATED
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].