Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 60A; 17W; HSMT8 ROHM SEMICONDUCTOR
Номер продукта: RQ3E150BNTB
Сроки доставки
2024-05-16 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 35,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 60A; 17W; HSMT8
Параметры товара поставщика
Product code
RQ3E150BNTB
Product ID
U-2966238
Case
HSMT8
Drain current
39A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
45nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
7.4mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
17W
Pulsed drain current
60A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
RQ3E150BNTB
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
