Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 60A; 17W; HSMT8 ROHM SEMICONDUCTOR
Produkta nr.: RQ3E150BNTB
Piegādes termiņi
2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 60A; 17W; HSMT8
Piegādātāja preces parametri
Product code
RQ3E150BNTB
Product ID
U-2966238
Case
HSMT8
Drain current
39A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
45nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
7.4mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
17W
Pulsed drain current
60A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
RQ3E150BNTB
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
