Russian

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W GeneSiC SEMICONDUCTOR

Номер продукта: G3R40MT12K
no gallery
no gallery
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-2
41.87
3-9
37.68
10-29
33.33
30-119
29.83
120+
27.91
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

41.87
2024-05-22 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-22 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно331 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 35,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,50 €

Описание товара

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W GeneSiC SEMICONDUCTOR

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-2246893
NomNr
G3R40MT12K

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
G3R40MT12K
Supplier's product code
G3R40MT12K
Product ID
U-2246893
Case
TO247-4
Drain current
50A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
106nC
Gate-source voltage
-5...15V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
40mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
333W
Pulsed drain current
140A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].